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Référence fabricant | ELL-4GG1R2N |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-4GG1R2N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-4GG1R2N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.9A |
Courant - Saturation | 2.4A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 50 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.055" (1.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GG1R2N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-4GG1R2N-FT |
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Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
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XC3S200A-4FG320I
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XC3S400AN-5FTG256C
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10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
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Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
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