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Référence fabricant | ELL-4FG4R7NA |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-4FG4R7NA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-4FG4R7NA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1A |
Courant - Saturation | 1A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 160 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4FG4R7NA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-4FG4R7NA-FT |
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XC2VP30-6FGG676C
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Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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5AGXBA5D4F35I5N
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EP2S180F1508C4N
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