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Référence fabricant | ELL-3GM2R7N |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-3GM2R7N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M |
ELL-3GM2R7N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 110 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.059" (1.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM2R7N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-3GM2R7N-FT |
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
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