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Référence fabricant | ELJ-RG4N7DF |
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Numéro de pièce future | FT-ELJ-RG4N7DF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RG |
ELJ-RG4N7DF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 4.7nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 300mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 560 mOhm Max |
Q @ Freq | 4 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 8.8GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.012" (0.31mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-RG4N7DF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELJ-RG4N7DF-FT |
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APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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