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Référence fabricant | ELJ-RG1N8DF |
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Numéro de pièce future | FT-ELJ-RG1N8DF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RG |
ELJ-RG1N8DF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 1.8nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 420mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 4 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 20GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.012" (0.31mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-RG1N8DF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELJ-RG1N8DF-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
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EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
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