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Référence fabricant | ELJ-RF2N2DF |
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Numéro de pièce future | FT-ELJ-RF2N2DF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RF |
ELJ-RF2N2DF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 2.2nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.022" (0.55mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-RF2N2DF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELJ-RF2N2DF-FT |
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Microchip Technology
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XC3S200A-4FG320I
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XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
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EP3C80F484I7
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10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
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XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
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