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Référence fabricant | ELJ-NK6N8AF |
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Numéro de pièce future | FT-ELJ-NK6N8AF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NK |
ELJ-NK6N8AF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 6.8nH |
Tolérance | ±3% |
Note actuelle | 750mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 26 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6.5GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 250MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.024" (0.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-NK6N8AF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELJ-NK6N8AF-FT |
ELJ-FJR10GF2
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
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M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel