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Référence fabricant | ELJ-NK56NAF |
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Numéro de pièce future | FT-ELJ-NK56NAF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NK |
ELJ-NK56NAF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 56nH |
Tolérance | ±3% |
Note actuelle | 210mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 200MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 2.8GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 200MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.024" (0.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-NK56NAF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELJ-NK56NAF-FT |
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
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5SGXMA3K1F35C2N
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5CGTFD5C5F23C7N
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