maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / ELD211(TB)
Référence fabricant | ELD211(TB) |
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Numéro de pièce future | FT-ELD211(TB) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ELD211(TB) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 2 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 4µs |
Temps de montée / descente (type) | 1.6µs, 2.2µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELD211(TB) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELD211(TB)-FT |
ILQ66-3
Vishay Semiconductor Opto Division
ILQ66-4
Vishay Semiconductor Opto Division
ILQ66-4X001
Vishay Semiconductor Opto Division
PC844IJ1J00F
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Everlight Electronics Co Ltd
ICPL0501SMT&R
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LTV-208
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M7AFS600-FGG484I
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AGLN060V2-VQG100
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5SGSMD4E3H29C2L
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EP3SE260H780C2N
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EP4CE6E22C9LN
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5SGXEBBR1H43C2N
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XC5VLX110T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC2VP20-5FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation