maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817M(C)-V
Référence fabricant | EL817M(C)-V |
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Numéro de pièce future | FT-EL817M(C)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817M(C)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 200% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 400% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 35V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817M(C)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817M(C)-V-FT |
EL357NE(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-G
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EL357NE(TB)-VG
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EL357NE-G
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EL357NE-VG
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EL357NF(TA)-VG
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EL357NF(TB)-G
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EL357NF(TB)-VG
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EL357NF-G
Everlight Electronics Co Ltd
LFE2M100E-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-1
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
Intel
10AX048H2F34E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I3N
Intel
5SGXEBBR2H43I2N
Intel
XA7A50T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C5
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel