maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL816(S)(Y)(TD)-V
Référence fabricant | EL816(S)(Y)(TD)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EL816(S)(Y)(TD)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL816(S)(Y)(TD)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 150% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 300% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S)(Y)(TD)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL816(S)(Y)(TD)-V-FT |
EL354(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL354-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL354N(A)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357N(F)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357N(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357N(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357N(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357N(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357N-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EP3C16U484C8N
Intel
10M08DAF484C8G
Intel
EP3C55F484C6
Intel
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K1000CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel