maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL816(S1)(TD)-V
Référence fabricant | EL816(S1)(TD)-V |
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Numéro de pièce future | FT-EL816(S1)(TD)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL816(S1)(TD)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S1)(TD)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL816(S1)(TD)-V-FT |
EL357NB-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NC(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NC(TB)-G
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EL357NC(TB)-VG
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EL357NC-G
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EL357NC-VG
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EL357ND(TA)-G
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EL357ND(TA)-VG
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EL357ND(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357ND(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256I
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208A
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation