maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL3H7(TB)-G
Référence fabricant | EL3H7(TB)-G |
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Numéro de pièce future | FT-EL3H7(TB)-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL3H7(TB)-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 5µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL3H7(TB)-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL3H7(TB)-G-FT |
EL3H7(C)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(C)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(D)(EA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(D)(EA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(D)(EB)-G
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EL3H7(D)(EB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(D)(TA)-G
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EL3H7(D)(TA)-VG
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EL3H7(D)(TB)-G
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EL3H7(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XA3S250E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40C4N
Intel
EP3SL340F1517C4N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
M1A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
10AX057K1F35I1SG
Intel