Référence fabricant | EL 1V |
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Numéro de pièce future | FT-EL 1V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL 1V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL 1V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL 1V-FT |
CMG07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS09(TE12L,Q,M)
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CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS15I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS21(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel