Référence fabricant | EK 09W |
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Numéro de pièce future | FT-EK 09W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EK 09W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 700mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 700mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EK 09W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EK 09W-FT |
CDBJSC51200-G
Comchip Technology
CDBJSC8650-G
Comchip Technology
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel