Référence fabricant | EH 1 |
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Numéro de pièce future | FT-EH 1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EH 1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 600mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 600mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EH 1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EH 1-FT |
AU02Z
Sanken
AU02ZV
Sanken
AU02ZV0
Sanken
AU02ZWK
Sanken
AU02ZWS
Sanken
B320AQ-13-F
Diodes Incorporated
B330AQ-13-F
Diodes Incorporated
B345CE-13
Diodes Incorporated
B350AQ-13-F
Diodes Incorporated
B360AQ-13-F
Diodes Incorporated
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel