Référence fabricant | EGP30K |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EGP30K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EGP30K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGP30K-FT |
1N3879R
GeneSiC Semiconductor
1N3892
GeneSiC Semiconductor
1N3889
GeneSiC Semiconductor
1N3768R
GeneSiC Semiconductor
1N3768
GeneSiC Semiconductor
1N3673AR
GeneSiC Semiconductor
1N3673A
GeneSiC Semiconductor
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor
1N3214R
GeneSiC Semiconductor
S85J
GeneSiC Semiconductor
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel