Référence fabricant | EGP30J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EGP30J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EGP30J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGP30J-FT |
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor
MBR8045
GeneSiC Semiconductor
1N6098
GeneSiC Semiconductor
1N3893R
GeneSiC Semiconductor
1N3883
GeneSiC Semiconductor
1N3881R
GeneSiC Semiconductor
1N3881
GeneSiC Semiconductor
1N3879
GeneSiC Semiconductor
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel