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Référence fabricant | EGP30D-TP |
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Numéro de pièce future | FT-EGP30D-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EGP30D-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AE, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AE |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30D-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGP30D-TP-FT |
D471N80TXPSA1
Infineon Technologies
D471N85TXPSA1
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D475N36BXPSA1
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D4810N20TVFXPSA1
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D4810N24TVFXPSA1
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D5810N02TVFXPSA1
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D6001N50TS05XPSA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation