Référence fabricant | EGP10J |
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Numéro de pièce future | FT-EGP10J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EGP10J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP10J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGP10J-FT |
FFPF06U40STU
ON Semiconductor
FFPF06UP20STU
ON Semiconductor
FFPF08S60STU
ON Semiconductor
FFPF10F150STU
ON Semiconductor
FFPF10H60STU
ON Semiconductor
FFPF10U120STU
ON Semiconductor
FFPF10U150STU
ON Semiconductor
FFPF10U40STU
ON Semiconductor
FFPF10UP30STTU
ON Semiconductor
FFPF10UP30STU
ON Semiconductor
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel