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Référence fabricant | EGL34FHE3/98 |
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Numéro de pièce future | FT-EGL34FHE3/98 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
EGL34FHE3/98 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AA (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AA (GL34) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL34FHE3/98 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGL34FHE3/98-FT |
V3FM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01W-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation