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Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1AHE3_A/I
- Numéro de pièce MFG
- EGF1AHE3_A/I
- quantité disponible
- 54860 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.1624
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101, Superectifier® DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- EGF1AHE3_A/I.pdf
EGF1AHE3_A/I Caractéristiques
| Référence fabricant | EGF1AHE3_A/I |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-EGF1AHE3_A/I |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| EGF1AHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
| Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | DO-214BA |
| Package d'appareils du fournisseur | DO-214BA (GF1) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EGF1AHE3_A/I Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | EGF1AHE3_A/I-FT |
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