Référence fabricant | EG01V |
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Numéro de pièce future | FT-EG01V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EG01V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 700mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 700mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EG01V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EG01V-FT |
AU02V0
Sanken
AU02WK
Sanken
AU02WS
Sanken
AU02Z
Sanken
AU02ZV
Sanken
AU02ZV0
Sanken
AU02ZWK
Sanken
AU02ZWS
Sanken
B320AQ-13-F
Diodes Incorporated
B330AQ-13-F
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel