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Référence fabricant | EEV-TG1E102M |
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Numéro de pièce future | FT-EEV-TG1E102M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TG |
EEV-TG1E102M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | 75 mOhm @ 100kHz |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 125°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 845mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.3A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.650" (16.50mm) |
Surface du terrain de montage | 0.748" L x 0.748" W (19.00mm x 19.00mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-TG1E102M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EEV-TG1E102M-FT |
ECE-T1JA273FA
Panasonic Electronic Components
ECE-T1KA153FA
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XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V3000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K600CB652C7
Intel