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Référence fabricant | EEV-HB1H4R7R |
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Numéro de pièce future | FT-EEV-HB1H4R7R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB |
EEV-HB1H4R7R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 23mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | - |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.197" Dia (5.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Surface du terrain de montage | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB1H4R7R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EEV-HB1H4R7R-FT |
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XA6SLX75-3CSG484I
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XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel
5AGXMA5G6F31C6N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel