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Référence fabricant | EEV-HB0G470R |
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Numéro de pièce future | FT-EEV-HB0G470R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB |
EEV-HB0G470R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacitance | 47µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 4V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 34mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | - |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.157" Dia (4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Surface du terrain de montage | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB0G470R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EEV-HB0G470R-FT |
EEE-HD1V221AP
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A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP4CE40F23C9LN
Intel
5SGXMA4K3F35C2N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C4
Intel