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Référence fabricant | EEE-TP1J102V |
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Numéro de pièce future | FT-EEE-TP1J102V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TP |
EEE-TP1J102V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 63V |
ESR (résistance série équivalente) | 68 mOhm @ 100kHz |
Durée de vie @ Temp. | 4000 Hrs @ 125°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive, High Temperature Reflow |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.95A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 2.6A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.866" (22.00mm) |
Surface du terrain de montage | 0.748" L x 0.748" W (19.00mm x 19.00mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEE-TP1J102V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EEE-TP1J102V-FT |
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United Chemi-Con
LKG1H103MESCAK
Nichicon
516D227M035MN6AE3
Vishay Sprague
450LXW33MEFR10X30
Rubycon
XA6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel
5AGXMA5G6F31C6N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel