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Référence fabricant | EEE-HB1H2R2AR |
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Numéro de pièce future | FT-EEE-HB1H2R2AR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB |
EEE-HB1H2R2AR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2.2µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 16mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 27.2mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.157" Dia (4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Surface du terrain de montage | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEE-HB1H2R2AR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EEE-HB1H2R2AR-FT |
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LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ256B
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
10M16DAF256I7G
Intel
EP3SE260F1517C4N
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EP20K30EFC144-1
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5SGXMABN3F45I3LN
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EP2SGX90EF1152C5ES
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