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Référence fabricant | EEE-HB1A680AP |
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Numéro de pièce future | FT-EEE-HB1A680AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB |
EEE-HB1A680AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 68µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 10V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 70mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 119mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.248" Dia (6.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Surface du terrain de montage | 0.260" L x 0.260" W (6.60mm x 6.60mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEE-HB1A680AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EEE-HB1A680AP-FT |
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Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC6SLX4-L1CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
Intel
EP4CE115F29I8LN
Intel