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| Référence fabricant | EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Taille mémoire | 24Gb (192M x 128) |
| Fréquence d'horloge | 800MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR-FT |

EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.

EDF8164A3MC-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDF8164A3MD-GD-F-D TR
Micron Technology Inc.

EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.

EDF8164A3MD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDF8164A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.

EDF8164A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.

EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDF8164A3PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.

EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.

LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S25B672C6N
Intel

XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.

XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.

AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation

ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX45DF29C4N
Intel

EPF10K30RC208-3N
Intel

5SGXMA3H1F35C1N
Intel