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Référence fabricant | EDFP112A3PB-GD-F-D TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDFP112A3PB-GD-F-D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDFP112A3PB-GD-F-D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 24Gb (192M x 128) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-GD-F-D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDFP112A3PB-GD-F-D TR-FT |
EDF8132A3MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP3SE50F780C4
Intel