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Référence fabricant | EDFB164A1PB-JD-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDFB164A1PB-JD-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDFB164A1PB-JD-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFB164A1PB-JD-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDFB164A1PB-JD-F-D-FT |
EDBM432B3PB-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PD-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PD-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PF-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PF-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF4432ACPE-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF4432ACPE-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF620AAABH-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel