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Référence fabricant | EDFB164A1MA-GD-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDFB164A1MA-GD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDFB164A1MA-GD-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFB164A1MA-GD-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDFB164A1MA-GD-F-R TR-FT |
EDBA232B2PD-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PD-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PB-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PB-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PD-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PD-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PF-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PF-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF4432ACPE-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF4432ACPE-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel