maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDF8164A3PM-GD-F-D
Référence fabricant | EDF8164A3PM-GD-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDF8164A3PM-GD-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDF8164A3PM-GD-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (128M x 64) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDF8164A3PM-GD-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDF8164A3PM-GD-F-D-FT |
DS2433X-Z01
Maxim Integrated
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DS28E81P+
Maxim Integrated
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
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5AGXBB3D4F35C5N
Intel