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Référence fabricant | EDF8164A3MA-GD-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDF8164A3MA-GD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDF8164A3MA-GD-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (128M x 64) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDF8164A3MA-GD-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDF8164A3MA-GD-F-R TR-FT |
DS1350YL-70
Maxim Integrated
DS1350YL-70IND
Maxim Integrated
DS2227-070
Maxim Integrated
DS2227-100
Maxim Integrated
DS2227-120
Maxim Integrated
DS2229-85
Maxim Integrated
DS2423D/T&R
Maxim Integrated
DS2430AD/T&R
Maxim Integrated
DS2430AX-S/T&R
Maxim Integrated
DS2431GB+U
Maxim Integrated
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
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ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
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EPF10K30RC208-3N
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5SGXMA3H1F35C1N
Intel