maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
Référence fabricant | EDB5432BEBH-1DAUT-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDB5432BEBH-1DAUT-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB5432BEBH-1DAUT-F-D-FT |
W25Q128FVBIP
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ
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W25Q128FVBJQ TR
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W25Q256FVBIF
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Winbond Electronics
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
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Intel