maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
Référence fabricant | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q128FVBIG
Winbond Electronics
W25Q128FVBIP
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBIF
Winbond Electronics
W25Q256FVBIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBIP
Winbond Electronics
W25Q256FVBIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ
Winbond Electronics
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel