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Micron Technology Inc. EDB4432BBPE-1D-F-D

Name: EDB4432BBPE-1D-F-D
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: EDB4432BBPE-1D-F-D
Availability: InStock
Rating: 4.7 (132 reviews)

Numéro de pièce MFG: EDB4432BBPE-1D-F-D

quantité disponible: 97300 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: EDB4432BBPE-1D-F-D.pdf

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EDB4432BBPE-1D-F-D Caractéristiques

Référence fabricant	EDB4432BBPE-1D-F-D
Numéro de pièce future	FT-EDB4432BBPE-1D-F-D
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
EDB4432BBPE-1D-F-D Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire	4Gb (128M x 32)
Fréquence d'horloge	533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement	-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4432BBPE-1D-F-D Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	EDB4432BBPE-1D-F-D-FT

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