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Micron Technology Inc. EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Numéro de pièce MFG
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
quantité disponible
44050 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
- IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D.pdf
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EDB2432B4MA-1DAUT-F-D Caractéristiques

Référence fabricant EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
Numéro de pièce future FT-EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire 2Gb (64M x 32)
Fréquence d'horloge 533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 134-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur 134-VFBGA (10x11.5)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EDB2432B4MA-1DAUT-F-D-FT

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