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Référence fabricant | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
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W25Q64CVTBIP
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XA6SLX25-2FTG256I
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LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
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5SEE9F45C2LN
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
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5SGSMD4H3F35I4N
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EPF6016AFC100-1
Intel