maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
Référence fabricant | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D-FT |
W25Q32FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG
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W25Q64CVTBIG TR
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W25Q64CVTBIP
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W25Q64FVTBJQ TR
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W971GG8SB-25
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A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
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EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel