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Référence fabricant | EDB130ABDBH-1D-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDB130ABDBH-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB130ABDBH-1D-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16, 32M x 32) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB130ABDBH-1D-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB130ABDBH-1D-F-D-FT |
CYD09S36V18-WW14
Cypress Semiconductor Corp
DC0232A-D
Micron Technology Inc.
DS1200
Maxim Integrated
DS1201
Maxim Integrated
DS1201+C02
Maxim Integrated
DS1201N
Maxim Integrated
DS1220Y-120+
Maxim Integrated
DS1245BL-100
Maxim Integrated
DS1245BL-70
Maxim Integrated
DS1245BL-70IND
Maxim Integrated
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation