maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ECH8601M-TL-H
Référence fabricant | ECH8601M-TL-H |
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Numéro de pièce future | FT-ECH8601M-TL-H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ECH8601M-TL-H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 24V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-ECH |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECH8601M-TL-H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ECH8601M-TL-H-FT |
VEC2616-TL-W-Z
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