maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / ECF840AAACN-C2-Y3
Référence fabricant | ECF840AAACN-C2-Y3 |
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Numéro de pièce future | FT-ECF840AAACN-C2-Y3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ECF840AAACN-C2-Y3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (512M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECF840AAACN-C2-Y3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ECF840AAACN-C2-Y3-FT |
CY7C245A-18WMB
Cypress Semiconductor Corp
CYD02S36VA-167BBXC
Cypress Semiconductor Corp
CYD09S36V18-WW14
Cypress Semiconductor Corp
DC0232A-D
Micron Technology Inc.
DS1200
Maxim Integrated
DS1201
Maxim Integrated
DS1201+C02
Maxim Integrated
DS1201N
Maxim Integrated
DS1220Y-120+
Maxim Integrated
DS1245BL-100
Maxim Integrated
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel