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Référence fabricant | E3JM-10M4-G-N |
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Numéro de pièce future | FT-E3JM-10M4-G-N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | E3JM |
E3JM-10M4-G-N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Méthode de détection | Through-Beam |
Distance de détection | 393.7" (10m) 32.8' |
Tension - Alimentation | 12V ~ 240V, 24V ~ 240V |
Temps de réponse | 30ms |
Configuration de sortie | Light-On/Dark-On |
Méthode de connexion | Terminal Block |
Protection contre la pénétration | IEC IP66 |
Longueur de câble | - |
Source de lumière | Infrared (950nm) |
Type d'ajustement | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 55°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3JM-10M4-G-N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | E3JM-10M4-G-N-FT |
ZT2-F5238
SICK, Inc.
ZT2-N2215
SICK, Inc.
ZT2-N2221
SICK, Inc.
ZT2-N2228
SICK, Inc.
ZT2-N2231
SICK, Inc.
ZT2-N2238
SICK, Inc.
ZT2-N3221
SICK, Inc.
ZT2-N3228
SICK, Inc.
ZT2-N3231
SICK, Inc.
ZT2-N3238
SICK, Inc.
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XCV1600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C2N
Intel
EP1S30F780I6
Intel