maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / E-ULN2001A
Référence fabricant | E-ULN2001A |
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Numéro de pièce future | FT-E-ULN2001A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
E-ULN2001A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 7 NPN Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E-ULN2001A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | E-ULN2001A-FT |
BC817DS,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4140DPN,115
Nexperia USA Inc.
IMX1T110
Rohm Semiconductor
PBSS4160DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM857DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM847DS,135
Nexperia USA Inc.
IMZ1AT108
Rohm Semiconductor
IMT1AT110
Rohm Semiconductor
PBSS4240DPN,115
Nexperia USA Inc.
BC817UE6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
EP20K300EFI672-2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation