maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / DZ23C8V2-HE3-08
Référence fabricant | DZ23C8V2-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C8V2-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C8V2-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C8V2-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C8V2-HE3-08-FT |
DZ23C36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
EP1C3T144C6
Intel
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
EP4CE55F23I7
Intel
5SGSMD4K2F40C2LN
Intel
EP4SGX360KF40C4N
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6
Intel
EP20K600CB652C9
Intel