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Référence fabricant | DZ23C5V1-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C5V1-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C5V1-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 800mV |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C5V1-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C5V1-G3-18-FT |
DZ23C22-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C24-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C24-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C24-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C24-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C24-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C24-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C27-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C27-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C27-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-2VQG80
Microsemi Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
XC7VX690T-L2FFG1927E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C7N
Intel