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Référence fabricant | DZ23C3V9-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C3V9-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C3V9-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C3V9-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C3V9-G3-08-FT |
DZ23C12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C15-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC3S50AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7
Intel
XC5VLX30T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGLP030V2-CSG289
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
A40MX02-PQ100I
Microsemi Corporation
10AX032E1F29E1SG
Intel