maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / DXT2010P5-13
Référence fabricant | DXT2010P5-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DXT2010P5-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DXT2010P5-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 6A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 300mA, 6A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 20nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
Puissance - Max | 3.2W |
Fréquence - Transition | 130MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT2010P5-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DXT2010P5-13-FT |
2DB1694-7
Diodes Incorporated
MMSTA42-7-F
Diodes Incorporated
BC807-40W-7
Diodes Incorporated
BC848BW-7-F
Diodes Incorporated
MMST5401-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT591TA
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BC856BW-7-F
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MMST4403-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT619TA
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel